某研究所ALD用臭氧发生器150mg/L nano15臭氧发生器，体积小，臭氧产量15g/h，浓度高，非常适合ALD实验使用。 . . .

中科院-高浓度臭氧发生器用于ALD 该臭氧发生器浓度可达300mg/L，搭配3S-J5000臭氧检测仪对浓度进行实时检测。 高浓度臭氧发生器在ALD（原子层沉积）中有广泛的应用。ALD是一种薄膜沉积 . . .

近些年半导体、ALD蓬勃发展，臭氧被电子工业用于形成 CVD 和 ALD 薄膜、氧化物生长、光刻胶去除和多种清洁应用。我们介绍几款能满足半导体行业用的 臭氧 发生器 。 1、美国SEMOZON A . . .

ALD用高浓度臭氧发生器使用现场 上海某科研单位采购北京同林代理的加拿大absolute ozone Atlas H30臭氧发生器和北京同林3S-J5000臭氧检测仪进行原子沉淀（ALD）实验，实验达到要求。 . . .

用于原子层沉积（ALD）的臭氧发生器 在纳米技术和先进材料中，原子层沉积（ALD）在薄膜和涂层的精密生长中起着举足轻重的作用。原子层沉积（ALD）以生产具有原子级控制的超薄高质 . . .

臭氧和水ALD工艺中DMACl基Al2O3膜主体中元素浓度的比较 DMACl-臭氧作为ALD过程 在ALD工艺中，每周期生长量(GPC)是描述薄膜生长的重要参数。如果GPC在ALD生长潜伏期后达到恒定值，则表明生 . . .